主 讲 人：Prof. Daniel MORVAN 
             （法国国立巴黎高等化学学校教授、巴黎高科“50名工程师”项目评委会主席）
时    间：10月26日（星期一）下午13:30
地    点：化学馆120多媒体报告厅
讲座内容：
      1、Purification of metallurgical grade silicon by thermal plasma for photoovoltaique application.
      2、Yttria-stabilised Zirconia thick coatings deposited from aqueous solution in a low pressure plasma reactor for aerospace application.
      3、Analyse of ultra pure silicon by LIBS: Laser Induced Breakdowm Spectroscopy . Detection limit of boron in silicon between 0.1 and 1 ppm.
 
欢迎感兴趣的师生前往参加。